RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2672
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link