RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3360
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link