RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2989
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link