RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2327
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link