RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
26
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3757
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link