RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
44
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
30
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3140
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link