RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
59
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
59
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2225
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link