RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
76
117
Autour de -54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
76
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
1809
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link