RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,303.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
117
Autour de -216% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
2804
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link