RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,303.7
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
117
Autour de -318% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3609
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link