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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
117
Autour de -225% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
1891
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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