RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,303.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
117
Autour de -318% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3366
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link