RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
117
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
52
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
2306
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link