RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
68
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3041
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link