RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
68
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3386
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link