RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
68
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3153
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link