RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
68
Autour de -162% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3885
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link