RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
68
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2936
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link