RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
63
Autour de -215% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
3127
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link