RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
2605
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link