RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
3779
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link