RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
64
Autour de 45% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
64
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
2052
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link