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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
70
Autour de -192% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3230
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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