RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
70
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3519
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link