RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
17.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
70
Autour de -133% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3773
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link