RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
70
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2792
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link