RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
70
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2447
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link