RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
70
Autour de -180% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2620
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link