RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
70
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
3,071.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
59
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2181
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link