RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
70
Autour de -89% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2438
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link