RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
3085
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link