RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
2659
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8WMB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link