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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
3271
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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