Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Note globale
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 75
    Autour de 63% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.9 left arrow 9.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.1 left arrow 5.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 75
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.4 left arrow 14.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.5 left arrow 7.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1453 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons