RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
3485
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link