RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
3221
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link