RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
101
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
101
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
1382
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link