RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
2462
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link