RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
2330
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link