RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
54
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
3397
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link