RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
63
Autour de -85% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3425
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link