RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
63
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3273
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link