RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
63
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3070
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link