RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
63
Autour de -62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2808
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link