RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3217
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link