RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
63
Autour de -62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2571
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link