RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2897
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link