RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link