RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
63
Autour de -91% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2511
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link