RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
63
Autour de -91% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2823
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link